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RTP快速熱處理設(shè)備

快速熱處理設(shè)備(RTP)可用于GaAs、Si以及其他半導(dǎo)體材料離子注入后的退火、硅化物的形成、歐姆接觸制備以及快速氧化、快速氮化等方面。RTP-2型快速合金設(shè)備具有快速升降溫、慢速升降溫和長時間工作穩(wěn)定等特點。也可用于各種半導(dǎo)體材料CVD工藝的熱處理。

產(chǎn)品詳情

主要技術(shù)指標(biāo):
a、工作溫度范圍:150℃~800℃
b、升溫速率:0.01℃~80℃/s,可設(shè)定
c、密封石英腔尺寸:290mmx230mmx18mm
d、載物臺:ф160mm,適用于6英寸晶片
e、歐陸程序控制,可設(shè)置任意大小的升溫曲線,編程及操作十分方便靈活,控制精度高,快速升溫過沖小
f、不銹鋼反應(yīng)室上下反射面聚焦設(shè)計,表面鍍金,增加熱反射,減少熱散失,極大提高加熱效率,有利于快速升溫
g、整個爐體采用水冷卻,確保爐體散熱和快速降溫。